Crystallization Properties of the Ge2Sb2Te5 Phase-Change Compound fromn   Advanced Simulations

Ronneberger Ider; Zhang Wei; Eshet Hagai; Mazzarello Riccardo

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Crystallization Properties of the Ge2Sb2Te5 Phase-Change Compound fromn Advanced Simulations

机译：来自高级模拟的Ge2Sb2Te5相变化合物的结晶特性

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Ge2Sb2Te5 (GST) is an important phase-change material used in optical and electronic memory devices. In this work, crystal growth of GST at 600 K is investigated by ab initio molecular dynamics. Simulations of two different crystallization processes are performed. In the first set of simulations, the growth of crystalline nuclei generated using the metadynamics method is studied. In the second set, models containing a planar amorphous-crystalline interface are considered and the crystallization

机译：Ge2Sb2Te5（GST）是光学和电子存储设备中使用的重要相变材料。在这项工作中，通过从头算分子动力学研究了600 K时GST的晶体生长。进行两种不同结晶过程的模拟。在第一组模拟中，研究了使用元动力学方法生成的晶核的生长。在第二组中，考虑了包含平面非晶-晶体界面的模型，并且结晶

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来源
《Advanced Functional Materials》 |2015年第40期|6407-6413|共7页
作者
Ronneberger Ider; Zhang Wei; Eshet Hagai; Mazzarello Riccardo;
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作者单位

Rhein Westfal TH Aachen, Inst Theoret Solid State Phys, D-52056 Aachen, Germany.;

Rhein Westfal TH Aachen, Inst Phys IA 1, D-52056 Aachen, Germany.;

Tel Aviv Univ, Sackler Fac Exact Sci, Sch Chem, IL-69978 Tel Aviv, Israel.;

Rhein Westfal TH Aachen, JARA HPC, D-52056 Aachen, Germany.;

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
ab initio simulations; crystallization; data storage; metadynamics; phase change materials;

机译：从头算起;结晶;数据存储;元动力学;相变材料;

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