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【24h】

High-Performance Ferroelectric Memory Based on Phase-Separated Films of Polymer Blends

机译：基于聚合物共混物相分离膜的高性能铁电存储器

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High-performance polymer memory is fabricated using blends of ferroelectric poly(vinylidene-fiuoride-trifluoroethylene) (P(VDF-TrFE)) and highly insulating poly(p-phenylene oxide) (PPO). The blend films spontaneously phase separate into amorphous PPO nanospheres embedded in a semicrystalline P(VDF-TrFE) matrix. Using low molecular weight PPO with high miscibility in a common solvent, i.e., methyl ethyl ketone, blend films are spin cast with extremely low roughness (R_(rms)≈4.92 nm) and achieve nanoscale phase seperation (PPO domain size < 200 nm). These blend devices display highly improved ferroelectric and dielectric performance with low dielectric losses (<0.2 up to 1 MHz), enhanced thermal stability (up to =353 K), excellent fatigue endurance (80% retention after 10~6 cycles at 1 KHz) and high dielectric breakdown fields (≈360 MV/m).
机译：高性能聚合物存储器是使用铁电性聚偏二氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-TrFE））和高绝缘性聚对苯醚（PPO）的混合物制成的。共混膜自发相分离成嵌入半结晶P（VDF-TrFE）基质中的非晶PPO纳米球。使用在普通溶剂（即甲乙酮）中具有高混溶性的低分子量PPO，以极低的粗糙度（R_（rms）≈4.92nm）旋涂共混膜，并实现纳米级相分离（PPO域尺寸<200 nm） 。这些混合器件显示出高度改善的铁电和介电性能，具有低介电损耗（<0.2高达1 MHz），增强的热稳定性（高达= 353 K），出色的耐疲劳性（在1 KHz的10〜6个循环后保持80％的保持力）和高介电击穿场（≈360MV / m）。

著录项

  • 来源
    《Advanced Functional Materials》 |2014年第10期|1372-1381|共10页
  • 作者

    Mohammad A. Khan; Unnat S. Bhansali; Mahmoud N. Almadhoun; lhab N. Odeh; Dongkyu Cha; Husam N. Alshareef;

  • 作者单位

    King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

    King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

    SABIC Corporate Research and Innovation Center Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

    SABIC Corporate Research and Innovation Center Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

    King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

    King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) Thuwal, 23955-6900, Saudi Arabia;

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