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Crystallinity-Controlled Germanium Nanowire Arrays: Potential Field Emitters

机译:结晶度控制的锗纳米线阵列:潜在的场发射体

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摘要

We report a simple method, oblique angle deposition, to directly synthesize aligned Ge nanowire arrays on a Si substrate. This process is accomplished by tilting the Si substrate and adjusting the incident angle of the evaporated Ge vapor flux with respec
机译:我们报告了一种简单的方法,斜角沉积,可以直接在Si基板上合成对准的Ge纳米线阵列。该过程是通过倾斜Si衬底并根据需要调整蒸发的Ge蒸气通量的入射角来完成的

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