• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Advanced Functional Materials >Effect of mesoscale crystalline structure on the field-effect mobility of regioregular poly(3-hexyl thiophene) in thin-film transistors
【24h】

Effect of mesoscale crystalline structure on the field-effect mobility of regioregular poly(3-hexyl thiophene) in thin-film transistors

机译：中尺度晶体结构对薄膜晶体管中区域规则的聚3-己基噻吩的场效应迁移率的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Regioregular poly(3-hexyl thiophene) (RR P3HT) is drop-cast to fabricate field-effect transistor (FET) devices from different solvents with different boiling points and solubilities for RR P3HT, such as methylene chloride, toluene, tetrahydrofuran, and chloroform. A Petri dish is used to cover the solution, and it takes less than 30 min for the solvents to evaporate at room temperature. The mesoscale crystalline morphology of RR P3HT thin films can be manipulated from well-dispersed nanofibrils to well-developed spherulites by changing solution processing conditions. The morphological correlation with the charge-carrier mobility in RR P3HT thin-film transistor (TFT) devices is investigated. The TFT devices show charge-carrier mobilities in the range of 10(-4) similar to 10(-2) cm(2) V-1 s(-1) depending on the solvent used, although grazing-incidence X-ray diffraction (GIXD) reveals that all films develop the same pi-pi-stacking orientation, where the < 100 >-axis is normal to the polymer films. By combining results from atomic force microscopy (AFM) and GIXD, it is found that the morphological connectivity of crystalline nanofibrils and the < 100 >-axis orientation distribution of the pi-pi-stacking plane with respect to the film normal play important roles on the charge-carrier mobility of RR P3HT for TFT applications.
机译：区域规则的聚（3-己基噻吩）（RR P3HT）可以通过滴铸法制造，以不同沸点和RR P3HT溶解度的不同溶剂（例如二氯甲烷，甲苯，四氢呋喃和氯仿）制造场效应晶体管（FET）器件。 。用培养皿盖住溶液，在室温下蒸发溶剂少于30分钟。通过改变溶液加工条件，可以将RR P3HT薄膜的中尺度晶体形态从分散良好的纳米原纤维转变为发育良好的球晶。研究了RR P3HT薄膜晶体管（TFT）器件中与电荷载流子迁移率的形态相关性。 TFT设备显示的载流子迁移率在10（-4）范围内，类似于10（-2）cm（2）V-1 s（-1），具体取决于所使用的溶剂，尽管掠入射X射线衍射（GIXD）揭示了所有薄膜都具有相同的pi-pi堆叠方向，其中<100>轴垂直于聚合物薄膜。通过结合原子力显微镜（AFM）和GIXD的结果，发现结晶纳米原纤维的形态连通性和pi-pi堆积平面相对于薄膜法线的<100>轴取向分布在其中起着重要的作用。 TFT应用中RR P3HT的电荷载流子迁移率。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号