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Electron-Enhanced Hole Injection in Blue Polyfluorene-Based Polymer Light-Emitting Diodes

机译：蓝色聚芴基聚合物发光二极管中的电子增强空穴注入

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It has recently been reported that, after electrical conditioning, an ohmic hole contact is formed in poly(9,9-dioctylfluorene) (PFO)-based polymer light-emitting diodes (PLED), despite the large hole-injection barrier obtained with a poly(styrene sulfonic acid)-doped poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT:PSS) anode. We demonstrate that the initial current at low voltages in a PEDOT:PSS/PFO-based PLED is electron dominated. The voltage at which the hole injection is enhanced strongly depends on the electron-transport properties of the device, which can be modified by the replacement of reactive end groups by monomers in the synthesis. Our measurements reveal that the switching voltage of the PLED is governed by the electron concentration at the PEDOT:PSS/PFO contact. The switching effect in PFO is only observed for a PEDOT:PSS hole contact and not for other anodes such as indium tin oxide or Ag.
机译：最近有报道说，尽管通过电子调节获得了大的空穴注入势垒，但是在电调节之后，在基于聚（9,9-二辛基芴）（PFO）的聚合物发光二极管（PLED）中形成了欧姆空穴接触。掺杂聚苯乙烯磺酸的聚（3,4-乙撑二氧噻吩）（PEDOT：PSS）阳极。我们证明，在基于PEDOT：PSS / PFO的PLED中，低电压下的初始电流是电子主导的。空穴注入增强的电压强烈取决于器件的电子传输性能，可以通过合成中的单体取代反应性端基来改变其电子传输性能。我们的测量表明，PLED的开关电压受PEDOT：PSS / PFO触点处的电子浓度控制。仅在PEDOT：PSS空穴接触中观察到PFO中的开关效应，而对于其他阳极（例如氧化铟锡或Ag）则没有观察到。

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