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Chemistry for positive pattern transfer using area-selective atomic layer deposition

机译:使用区域选择性原子层沉积进行正图案转移的化学

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摘要

A chemically selective process to achieve high-resolution area-selective atomic layer deposition (ALD) of Pt thin films on dielectrics (see figure) is introduced. By utilizing the intrinsically selective adsorption behavior of 1-octadecene, a monolayer resist is attached only to the hydride-terminated silicon regions of a patterned SiO2/Si substrate. Subsequently, a Pt thin film is selectively deposited only onto the oxide regions by ALD.
机译:介绍了一种化学选择性工艺,可在电介质上实现Pt薄膜的高分辨率区域选择性原子层沉积(ALD)(见图)。通过利用1-十八碳烯的固有选择性吸附行为,单层抗蚀剂仅附着到图案化SiO2 / Si衬底的氢化物末端的硅区域。随后,通过ALD仅将Pt薄膜选择性地沉积在氧化物区域上。

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