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通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法

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摘要

一种制作半导体器件的方法，其包括在下层之上形成第一光刻胶层，将第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中第一光刻胶图案包括位于下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征，以及使用第一光刻胶图案作为掩模蚀刻下层以形成多个第一间隔开的特征。该方法还包括移除第一光刻胶图案，在多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层，并且将第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中第二光刻胶图案包括覆盖多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征。该方法还包括使用第二光刻胶图案作为掩模蚀刻多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变，并且该方法还包括移除第二光刻胶图案。

著录项

  • 公开/公告号CN102077346B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑迪士克3D公司;

    申请/专利号CN200980125068.X

  • 发明设计人 R·E·舒尔雷恩;S·雷迪根;

    申请日2009-06-25

  • 分类号

  • 代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:14:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-09-21

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 27/10 变更前: 变更后: 申请日:20090625

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-06-22

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/10 登记生效日:20160603 变更前: 变更后: 申请日:20090625

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-05-01

    授权

    授权

  • 2011-07-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20090625

    实质审查的生效

  • 2011-05-25

    公开

    公开

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