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Electromagnetic Modeling of Through-Silicon Via (TSV) Interconnections Using Cylindrical Modal Basis Functions

机译：使用圆柱模态基函数的硅通孔（TSV）互连的电磁建模

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This paper proposes an efficient method to model through-silicon via (TSV) interconnections, an essential building block for the realization of silicon-based 3-D systems. The proposed method results in equivalent network parameters that include the combined effect of conductor, insulator, and silicon substrate. Although the modeling method is based on solving Maxwell's equation in integral form, the method uses a small number of global modal basis functions and can be much faster than discretization-based integral-equation methods. Through comparison with 3-D full-wave simulations, this paper validates the accuracy and the efficiency of the proposed modeling method.
机译：本文提出了一种通过硅通孔（TSV）互连建模的有效方法，这是实现基于硅的3-D系统的重要组成部分。所提出的方法产生等效的网络参数，其中包括导体，绝缘体和硅衬底的组合效应。尽管建模方法是基于积分形式的麦克斯韦方程组求解，但是该方法使用了少量全局模态基函数，并且比基于离散化的积分方程法要快得多。通过与3D全波仿真的比较，本文验证了所提出建模方法的准确性和效率。

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