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【24h】

Development of Ultrabroadband (DC–50 GHz) Wafer-Scale Packaging Method for Low-Profile Bump Flip-Chip Technology

机译：薄型凸点倒装芯片技术的超宽带（DC–50 GHz）晶圆级封装方法的开发

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A locally matched flip-chip (LMFC) interconnect that uses a capacitive compensation technique to minimize impedance mismatch in coplanar waveguide lines is described. With an optimum percentage change in capacitance of 55$, pm ,$5%, we observe return loss below 25 dB over 90% of a 50 GHz bandwidth. When compared to a conventional flip-chip method, the minimum performance improvement in return loss is 10 dB and the insertion loss is smooth up to 30 GHz. The LMFC interconnect consists of two micromachined features: 1) an air cavity underneath the chip and 2) local trenches in the transition region of the flip-chip interconnect interface. A comparison of different LMFC interconnect designs to the conventional flip-chip approach is made, and design rules to obtain local trench dimensions are discussed.
机译：描述了一种局部匹配的倒装芯片（LMFC）互连，该互连使用电容补偿技术来最小化共面波导线中的阻抗失配。在电容的最佳变化百分比为55 $，pm，$ 5％的情况下，我们观察到在50 GHz带宽的90％范围内回波损耗低于25 dB。与传统的倒装芯片方法相比，回波损耗的最小性能改进为10 dB，插入损耗在30 GHz时平滑。 LMFC互连由两个微加工特征组成：1）芯片下方的气腔； 2）倒装芯片互连接口的过渡区域中的局部沟槽。比较了不同的LMFC互连设计与常规倒装芯片方法，并讨论了获得局部沟槽尺寸的设计规则。

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