机译:SiGe BiCMOS技术中具有增益的有源超材料传输线
Nanjing Univ Sci & Technol, Ministerial Key Lab JGMT, Nanjing 210094, Jiangsu, Peoples R China;
CAEP, Terahertz Res Ctr, Chengdu 611731, Peoples R China;
CAEP, Terahertz Res Ctr, Chengdu 611731, Peoples R China;
Nanjing Univ Sci & Technol, Ministerial Key Lab JGMT, Nanjing 210094, Jiangsu, Peoples R China;
Active; CRLH TL; metamaterial; SiGe BiCMOS;
机译:一个50 PS分辨率单片活性像素传感器,无需基于SiGe Bicmos技术的内部增益
机译:采用0.18 $ mu {rm m} $ SiGe BiCMOS技术的80 GHz高增益双平衡有源上变频混频器
机译:双Q / V波段SiGe BICMOS低噪声放大器使用Q-增强的超材料传输线
机译:采用0.13μmSiGe:C BiCMOS技术的增益为12.4 dB的宽带31–65 GHz无电感器有源不平衡变压器
机译:采用SIGE BiCMOS技术的高速SAR ADC设计
机译:通过主动拉曼增益获得超材料中的无损通风表面极化子
机译:64-GBD DP-Bipolar-8ASK传输超过120公里的SSMF,采用单片集成的驱动器和MZM,在0.25-μmsige bicmos技术中