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首页> 外文期刊>Applied Computational Electromagnetics Society journal >Time Domain Analysis of GaAS MESFET Transistors Excited by an Incident Electromagnetic Field
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Time Domain Analysis of GaAS MESFET Transistors Excited by an Incident Electromagnetic Field

机译：入射电磁场激励的GaAS MESFET晶体管的时域分析

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A numerical method for the fully distributed modeling of Field Effect Transistor (PET) excited by an incident electromagnetic field using a Finite-Difference Time-Domain (FDTD) method is described. The transistor is modeled using the fully distributed model which consists of a configuration of the conventional equivalent circuit of the transistor and three coupled lines as each distributed element. The distributed source terms represent the coupling with an electromagnetic field in the equation which can be used in the Electromagnetic Interference (EMI) analysis. As a numerical example, the method is applied to a GaAs MESPET and the time domain results are presented.
机译：描述了一种使用有限差分时域（FDTD）方法对入射电磁场激发的场效应晶体管（PET）进行完全分布式建模的数值方法。使用完全分布式模型对晶体管进行建模，该模型由晶体管的常规等效电路的配置和作为每个分布式元素的三条耦合线组成。分布的源项表示方程中与电磁场的耦合，该方程可用于电磁干扰（EMI）分析。作为数值例子，该方法被应用于GaAs MESPET，并给出了时域结果。

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