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A phonon-hydrodynamic approach to thermal conductivity of Si-Ge quantum dot superlattices

机译：声子流体动力学方法研究Si-Ge量子点超晶格的热导率

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In this paper we attempt to provide an analysis of the effective thermal conductivity of Si/Ge quantum dot superlattices based on a phonon-hydrodynamic approach. We consider the inner Ge quantum dots as minute ellipsoidal obstacles which exert a thermal resistance against the phonon flow in the Si hosting matrix. This yields an additional reduction term to the effective medium reduction of the thermal conductivity. The contribution considered here depends on the size, the shape, the spatial distribution of the obstacles and plays an important role when the characteristic size of the Ge obstacles is much smaller than the phonon mean-free path in the Si matrix. The originality of the paper is that the physics of rarefied fluids is used to study the problem of heat transport.
机译：在本文中，我们尝试基于声子-流体动力学方法对Si / Ge量子点超晶格的有效导热率进行分析。我们认为内部的Ge量子点是微小的椭圆形障碍，对Si基质中的声子流施加热阻。这产生了附加的减少项，以有效地降低热导率。这里考虑的贡献取决于障碍物的大小，形状，空间分布，并且当Ge障碍物的特征尺寸远小于Si矩阵中的声子无均值路径时，它起着重要作用。该论文的独创性在于稀有流体的物理学被用来研究传热问题。

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