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【24h】

Highly Uniform Electroluminescence from 150 and 200 mm GaN-on-Si-Based Blue Light-Emitting Diode Wafers

机译：150和200 mm硅基GaN蓝光发光二极管晶片的高度均匀电致发光

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We report on the on-wafer device characteristics of 150 and 200 mm GaN-on-Si-based blue LED wafers grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si(111) substrates with electroluminescence at 447 nm. Excellent uniformity was achieved with standard deviations of 3.9% for the electroluminescence intensity, 0.6-0.8% for the peak wavelength and 1.3% for the forward voltage. The high uniformity confirms the viability of the GaN-on-Si technology on large-diameter substrates for next-generation LED manufacturing. The reverse bias current leakage mechanism is also investigated to provide an insight into improving device reliability.
机译：我们报告了通过在447 nm电致发光在Si（111）衬底上通过金属有机化学气相沉积法生长的150和200 mm硅基GaN硅基蓝色LED晶片的晶片上器件特性。电致发光强度的标准偏差为3.9％，峰值波长为0.6-0.8％，正向电压为1.3％，实现了出色的均匀性。高均匀性证实了GaN-on-Si技术在用于下一代LED制造的大直径基板上的可行性。还研究了反向偏置电流泄漏机制，以深入了解提高器件的可靠性。

著录项

  • 来源
    《_Applied Physics Express》 |2013年第9期|095502.1-095502.4|共4页
  • 作者

    Andrea Pinos; Wei-Sin Tan; Ashay Chitnis; Atsushi Nishikawa; Lars Groh; Cheng-Yu Hu; Saad Murad; Stephan Lutgen;

  • 作者单位

    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

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    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

    AZZURRO Semiconductors AG, Breitscheidstrasse 78, 01237 Dresden, Germany;

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