首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Abnormal pressure-induced structural transformations of gallium nitride nanowires
【24h】

Abnormal pressure-induced structural transformations of gallium nitride nanowires

机译:压力引起的氮化镓纳米线的结构转变

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

One-dimensional nanostructured GaN was studied at pressures up to 65 GPa by in situ synchrotronnx-ray diffraction. A wurtzite-to-rocksalt transformation was observed at u000355 GPa, an onsetnpressure higher than that for bulk GaN, but lower than that for nanocrystalline GaN. Suchntransformation was found extremely incomplete even at the highest pressure but was facilitated byndecompression. In addition, GaN nanowires exhibited drastically different volume responses toncompression than did GaN in other forms. These unusual pressure behaviors of GaN nanowires arenattributed to the interplay of several factors involving the intrinsic nanoproperties and thencompression conditions.
机译:一维纳米结构的GaN在高达65 GPa的压力下通过原位同步辐射衍射进行了研究。在u000355 GPa处观察到纤锌矿到岩石盐的转变,其开始压力高于体GaN的开始压力,但低于纳米晶GaN的开始压力。发现即使在最高压力下,这种转化也极不完全,但是通过减压促进了这种转化。此外,与其他形式的GaN相比,GaN纳米线的体积响应吨压缩显着不同。 GaN纳米线的这些异常压力行为归因于涉及固有纳米特性和压缩条件的几个因素的相互作用。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2010年第15期|p.1-3|共3页
  • 作者

    Zhaohui Dong and Yang Song;

  • 作者单位

    Department of Chemistry, University of Western Ontario, London, Ontario N6A 5B7, Canada;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号