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机译:使用分散的纳米粒子制造单电子器件,并将实验结果拟合到基于渗透模型计算的值
The University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan;
The University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan;
The University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan;
The University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan;
Tokyo University of Technology, Hachioji, Tokyo 192-0983, Japan;
Tohoku University, Sendai, Miyagi 980-8579, Japan;
The University of Electro-Communications, Chofu, Tokyo 182-8585, Japan;
机译:使用金纳米粒子的室温操作单电子器件的制造
机译:使用金纳米颗粒阵列制造电阻耦合单电子器件
机译:包含涂有二氧化硅的铁氧体铜纳米颗粒的水性纳米流体的电和热物理性质:实验数据,通过增强的ANN和曲线拟合进行建模
机译:估计实验倾斜数据源自实验倾斜数据的临界频率和高度最大值。实验和IRI值计算值的比较
机译:基于CMOS制造技术的室温单电子器件
机译:基于微流体纸质分析设备(µPADs)开发中制造参数的实验分析
机译:基于有机功能化金属纳米晶体的有序二维相的器件的并行制造和单电子充电