Fabrication of submicron Nb/AlOx-Al/Nb tunnel junctions using focused ion beam implanted Nb patterning (FINP) technique

著录项

• 来源
  《IEEE Transactions on Applied Superconductivity》 |1995年第2期|p.2310-2313|共4页
• 作者

  Akaike H.; Watanabe T.; Nagai N.; Fujimaki A.; Hayakawa H.;

  展开▼
• 作者单位

  展开▼
• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 超导体、超导体材料;半导体技术;
• 关键词

  Josephson effect; aluminium; aluminium compounds; focused ion beam technology; ion implantation; niobium; sputter etching; 0.2 micron; Ga; Nb-AlO-Al-Nb; counter electrode; critical current; fabrication; focused ion beam implanted Nb patterning; plasma etching selectiv;

  机译：约瑟夫森效应;铝;铝化合物;聚焦离子束技术;离子注入;铌;溅射蚀刻;0.2微米;Ga;Nb-AlO-Al-Nb;反电极;临界电流;制造;聚焦离子束注入Nb图案;等离子体蚀刻选择性;