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Comment on 'Low temperature synthesis wide optical band gap Al and (Al, Na) co-doped ZnO thin films'

机译：评论“低温合成宽光学带隙Al和（Al，Na）共掺杂ZnO薄膜”

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In a recent paper entitled "Low temperature synthesis wide optical band gap Al and (Al, Na) co-doped ZnO thin films" published in this journal, Wang et al. studied the optical property of Al and (Al, Na) co-doped ZnO thin films prepared by sol-gel technique [1 ]. One of the most important conclusions of their work is the declaration of obtaining doped ZnO thin films with optical band gap as wide as 3.83-3.94 eV. The authors drew this conclusion based on the calculation of the transmittance spectra using plots of (ahv)~2 versus hv. In my opinion, however, their interpretation of the transmittance spectra is definitely wrong.
机译：Wang等在最近发表的题为“低温合成宽光学带隙Al和（Al，Na）共掺杂的ZnO薄膜的论文”中。研究了通过溶胶-凝胶技术制备的Al和（Al，Na）共掺杂的ZnO薄膜的光学性质[1]。他们工作中最重要的结论之一就是宣布获得光学带隙宽至3.83-3.94 eV的掺杂ZnO薄膜。作者基于使用（ahv）〜2与hv的关系图计算的透射光谱得出了这一结论。但是，在我看来，他们对透射光谱的解释肯定是错误的。

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  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2011年第20期|p.8752-8753|共2页
  • 作者

    Mingsong Wang;

  • 作者单位

    School of Materials Science and Engineering, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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