• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >High-performance copper alloy films for barrierless metallization
【24h】

High-performance copper alloy films for barrierless metallization

机译：用于无障碍金属化的高性能铜合金薄膜

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In this study, we observe useful properties of V_(1.1)- and V_(0.8)N_(0.4)-bearing copper (Cu) films deposited on barrierless silicon (Si) substrates by a cosputtering process. The Cu_(98.8)(V_(0.8)N_(0.4)), or Cu(VN_x) for brevity, films exhibit low resistivity (2.9 μΩ cm) and minimal leakage current after annealing at temperatures up to 700 ℃ for 1 h; no detectable reaction occurs at the Cu/Si interface. These observations confirm the high thermal stability of Cu(VN_x) films. Furthermore, since these films have good adhesion features, they can be used for barrierless Cu metallization.
机译：在这项研究中，我们观察到通过共溅射工艺沉积在无障碍硅（Si）衬底上的含V_（1.1）-和V_（0.8）N_（0.4）的铜（Cu）膜的有用特性。为简便起见，Cu_（98.8）（V_（0.8）N_（0.4））或Cu（VN_x）膜在700℃的温度下退火1小时后表现出低电阻率（2.9μΩcm）和最小泄漏电流；在Cu / Si界面上没有可检测到的反应发生。这些观察结果证实了Cu（VN_x）薄膜具有很高的热稳定性。此外，由于这些膜具有良好的粘合特性，因此它们可用于无障碍铜金属化。

著录项

  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2010年第2期|p.553-557|共5页
  • 作者

    C.H. Lin; W.K. Leau; C.H. Wu;

  • 作者单位

    Department of Environmental Engineering, Chin-Min Institute of Technology, No. 110, Syuefu Rd., Miao-Li, Tou-Fen 351, Taiwan;

    Institute of Materials Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung 202, Taiwan;

    Graduate Institute of Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, Taipei 10607, Taiwan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    copper alloy films; barrierless metallization; insoluble substances;

    机译：铜合金膜;无障碍金属化不溶物;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号