• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中文会议>第九届国际近代声学研讨会 >用于压电微机电系统的高性能压电薄膜

用于压电微机电系统的高性能压电薄膜

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

压电基(PZT)--ABO3型钙钛矿陶瓷体材料可用于制作各种压电微机电系统(MEMS).通常PZT--基陶瓷显示多晶结构,而单晶PZT--基薄膜材料吸取PZT--基陶瓷优良的铁电性,可用于制作薄膜压电MEMS.在PZT--基材料中,三元钙钛矿,即由二元钙钛矿PZT固溶体掺入添加物(如:Pb(Mg.Nb)O3(PMN)和Pb(Mn,Nb) O3)(PMnN)),可用于制作薄膜MEMS,因为掺人的添加物扩展了原二元钙钛矿PZT的介电和铁电响应,本文研究由射频溅射法外延生长在具有SrRuO3/Pt过渡层的(001)MgO单晶基片上的PZT-基三元配合物(PMnN-PZT)单晶薄膜,发现溅射的PZT一基三元配合物xPMnN-(1-x)PZT,x=0.06,显示高密度单晶、而无体单晶的晶粒和界面层结构,溅射的薄膜显示奇异的铁电性质,即:非常高自极化Pτ(Pτ-80～100μC,体陶瓷:Pr=20～30μC),高居里点Tc(Tc=500～600℃,体陶瓷:Tc=350～380℃),小介电常数ε*(ε*=100～150,体陶瓷:ε*=800～1300).这些奇异的铁电性质是所溅射的薄膜结构所固有的,不可能由传统的PZT--基陶瓷得到,最后,对这些奇异的铁电性质可能应用于压电薄膜MEMS进行了讨论.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号