机译:电沉积在p-Si(111)上的ZnO纳米聚集体的生长和特性
Institut PRISME, Universite d'Orleans, 21 rue Loigny la Bataille, 28000 Chartres, France,Laboratoire optoelectronique et composants, UFAS 19000, Algeria,Centre Universitaire de Bordj Bou-Arreridj, Departement d'Electronique, 34000 Bordj Bou-Arreridj, Algeria;
Laboratoire optoelectronique et composants, UFAS 19000, Algeria;
Institut PRISME, Universite d'Orleans, 21 rue Loigny la Bataille, 28000 Chartres, France;
Institut PRISME, Universite d'Orleans, 21 rue Loigny la Bataille, 28000 Chartres, France,Centre Universitaire de Bordj Bou-Arreridj, Departement d'Electronique, 34000 Bordj Bou-Arreridj, Algeria;
Institut PRISME, Universite d'Orleans, 21 rue Loigny la Bataille, 28000 Chartres, France;
Institute for Superconducting and Electronic Materials, Engineering Faculty, University of Wollongong, 2522 Wollongong, Australia;
Laboratoire d'Electronique Avancee (LEA), Departement d'Electronique, Universite de Batna, Batna, Algeria;
ZnO; electrodeposition; p-Si(111); nanolayer; nano-aggregates;
机译:铟摩尔分数对ZnO:ln / p-Si(111)异质结二极管特性的影响
机译:n-ZnO / p-Si(111)的二极管特性对Si衬底掺杂的依赖性
机译:热退火对n-ZnO / p-Si(111)二极管特性的影响
机译:Au催化剂通过气相传输方法辅助ZnO纳米线的生长对P-Si / N-ZnO异质结二极管的制备
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:60-nm厚的AlN缓冲层在n-ZnO / AlN / p-Si中的功能(111)
机译:p-si上ZnO薄膜的制备及p-si / n-ZnO的I-V特性