机译:在倾斜的离子溅射InP表面上形成纳米点
Institute of Physics, Ion Beam Lab., Sachivalaya Marg, Bhubaneswar 751 005, India;
Surface Physics Division, Sana Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700 064, India;
Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, India;
Institute of Materials Research and Engineering, 3 Research Link, Singapore 117602, Singapore;
Inter-University Accelerator Centre, Aruna Asaf Ali Marg, New Delhi 110 067, India;
nanodots; InP; ion sputtering;
机译:垂直入射时通过氩离子溅射在InP(100)上自组织形成纳米点
机译:通过氧离子溅射在InP(100)上自组织形成纳米点
机译:表面溅射模型中的形貌区域和斜入射点形成
机译:低能量Ar / sup + / InP {100}表面的清洁,损坏和溅射
机译:金和银纳米点和纳米棒中表面等离子体电子振荡的光谱特性和弛豫动力学。
机译:低能离子辐照下InP表面上自组织的纳米点结构:形态和组成分析
机译:低能离子辐照下InP表面上自组织的纳米点结构:形态和组成分析
机译:来自劈裂和溅射退火的Inp(110)表面的LEED和俄歇数据的比较