机译:氮化物四元合金双量子阱的发光研究
Departamento de Fisica, Universidade Federal Rural de Pemambuco, R. Dom Manoel de Medeiros, s - Dois Irmaos, 52171-900 Recife, PE, Brazil;
photoluminescence; p-Type doping; nitride semiconductors; double quantum wells; AlInGaN quaternary alloys;
机译:Al含量增加使分子束外延生长四元氮化物合金的光致发光
机译:p掺杂氮化物四元合金多量子阱中光学性质的计算
机译:氮化物四元合金p型掺杂多量子阱中的光学性质。
机译:研究深紫外少数单层厚氮化物量子阱中超快载流子动力学的两脉冲光致发光相关技术
机译:应变对铝铟镓氮化镓四元合金光学性能及其异质结构的影响。
机译:尺寸受限的固定成分和依赖成分的工程带隙合金化在L-半胱氨酸封端的四元CdZnTeS量子点中诱导了不同的内部结构
机译:光学光谱揭示CuIns2 / Zns向CuxZn1-xIns2 / Zns:Cu合金量子点的转变,产生双缺陷发光
机译:InGaalas四元合金的光致发光研究