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一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管

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本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有In_xAl_1‑xN插入层，且In_xAl_1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用In_xAl_1‑xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子‑空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。

著录项

公开/公告号CN109950374B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-16

原文格式PDF
申请/专利权人南通大学;
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申请/专利号CN201910262252.4
发明设计人李毅;钱星鹏;朱友华;王美玉;
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申请日2019-04-02
分类号H01L33/06(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构32245 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙);
代理人蔡晶晶
地址 226019 江苏省南通市啬园路9号
入库时间 2022-08-23 11:39:33

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