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首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Hydrostatic Pressure Effects On The Impurity States In Inas/gaas Coupled Quantum Dots
【24h】

Hydrostatic Pressure Effects On The Impurity States In Inas/gaas Coupled Quantum Dots

机译：静压对Inas / Gaas耦合量子点中杂质态的影响

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Within the framework of effective-mass approximation, the effects of the hydrostatic pressure on the binding energy of a hydrogenic impurity in InAs/GaAs coupled quantum dots (QDs) are investigated. Numerical results show the donor binding energy is largest when the impurity is located at the dot center than at other positions for any pressure value. Moreover, for the impurity located at the interdot barrier edge, the donor binding energy has a minimum value with increasing the interdot barrier width.
机译：在有效质量近似的框架内，研究了静水压力对InAs / GaAs耦合量子点（QDs）中氢杂质结合能的影响。数值结果表明，对于任何压力值，当杂质位于点中心时，施主结合能最大。此外，对于位于点间势垒边缘的杂质，施主结合能随着点间势垒宽度的增加而具有最小值。

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