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Study micromechanism of surface planarization in the polishing technology using numerical simulation method

机译：用数值模拟方法研究抛光技术中表面平坦化的微观机理

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With the development of semiconductor industry, the chemical mechanical polishing technology has already became the main stream method of realize the surface global flatness. In order to understanding physical essence underlying this technology, the author carried out nanometer polishing experiment of silicon wafer using molecular dynamics (MD) simulation method. The simulation result shows that larger slurry grain generate much more vacancy, dislocation, larger residual stress and intensive plastic deformation than that of small one although the larger grain acquire better surface quality.
机译：随着半导体工业的发展，化学机械抛光技术已经成为实现表面整体平坦度的主流方法。为了理解该技术的物理本质，作者使用分子动力学（MD）模拟方法进行了硅晶片的纳米抛光实验。仿真结果表明，尽管较大的颗粒获得了较好的表面质量，但与较小的颗粒相比，较大的颗粒会产生更多的空位，位错，较大的残余应力和强烈的塑性变形。

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