• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Ultraviolet photoemission spectroscopy of hydrogen complex deactivation on InP:Zn(1 0 0) surfaces
【24h】

Ultraviolet photoemission spectroscopy of hydrogen complex deactivation on InP:Zn(1 0 0) surfaces

机译：InP：Zn（1 0 0）表面上氢配合物失活的紫外光发射光谱

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Ultraviolet photoemission spectroscopy is used to study the kinetics of the H-Zn complex deactivation in Zn doped InP(1 0 0). Hydrogen injected into the material electronically passivates the local carrier concentration. Reverse-biased anneals of the InP under ultra-high vacuum show a dramatic change in the work function of the material with increasing temperature. Spectral features are also shown to be sensitive to sample temperature. To our knowledge, we show the first view of hydrogen retrapping at the surface using photoemission spectroscopy. A simple photoelectron threshold energy analysis shows the state of charge compensation of the material.
机译：紫外光发射光谱法用于研究掺杂锌的InP（1 0 0）中H-Zn络合物失活的动力学。注入材料中的氢会电子钝化局部载流子浓度。 InP在超高真空下的反向偏置退火表明材料的功函数随温度的升高而发生显着变化。光谱特征还显示出对样品温度敏感。据我们所知，我们使用光发射光谱法显示了氢在表面重新捕集的第一个视图。简单的光电子阈值能量分析显示了材料的电荷补偿状态。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号