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X-ray interface analysis of aperiodic Mo/Si multilayers

机译：非周期性Mo / Si多层膜的X射线界面分析

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We present the non-destructive analysis of aperiodic Mo/Si multilayers by X-ray emission spectroscopy induced by electrons. The Si 3p occupied valence states of the silicon atoms present within these structures are analysed. Because of the great sensitivity of these states to the physico-chemical environment of the Si atoms, it is possible to distinguish the emission from the center of the Si layer (amorphous silicon) to that of the interfacial zones between the Mo and Si layers. Thus, the presence of molybdenum silicides is evidenced in the interfacial zones. It is also shown that the relative proportion of interfacial silicides depends on the deposition conditions.
机译：我们介绍了由电子诱导的X射线发射光谱对非周期性Mo / Si多层膜的无损分析。分析了存在于这些结构中的硅原子的Si 3p占据的化合价态。由于这些状态对Si原子的物理化学环境非常敏感，因此可以区分从Si层（非晶硅）的中心到Mo和Si层之间的界面区域的发射。因此，在界面区域中证实了硅化钼的存在。还表明界面硅化物的相对比例取决于沉积条件。

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