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【24h】

Effect Of High Energy Ion Irradiation On Silicon Substrate In A Pulsed Plasma Device

机译：高能离子辐照对脉冲等离子体装置中硅衬底的影响

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We have performed an experimental analysis on the investigation of high energy ion beam irradiation on Si(100) substrates at room temperature using a low energy plasma focus (PF) device operating in methane gas. The surface modifications induced by the ion beams are characterized using standard surface science diagnostic tools, such as X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), photothermal beam deflection, energy-dispersive X-ray (EDX) analysis and atomic force microscope (AFM) and the results are reported. In particular, it has been found that with silicon targets, the application of PF carbon ion beams results in the formation of a surface layer of hexagonal (6H) silicon carbide, with embedded self-organized step/terrace structures.
机译：我们已经进行了实验分析，研究了使用在甲烷气体中运行的低能等离子体聚焦（PF）装置在室温下对Si（100）衬底进行高能离子束辐照的研究。使用标准的表面科学诊断工具来表征由离子束引起的表面改性，例如X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM），光热束偏转，能量色散X射线（EDX）分析和原子力显微镜（AFM）并报告结果。特别地，已经发现，对于硅靶，PF碳离子束的施加导致形成具有嵌入的自组织台阶/平台结构的六方（6H）碳化硅的表面层。

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