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Ab initio comparative study of C54 and C49TiSi(2) surfaces

机译：C54和C49TiSi（2）表面的从头开始比较研究

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A theoretical comparison of C54 and C49 TiSi2 Surfaces is presented, using ab initio plane-wave ultrasoft pseudopotential method based on generalized gradient approximation (GGA). The different surface energies of TiSi2 have not only been calculated out, but the preferential formation of C49 phase in solid-state reaction could be explained by smaller surface energies and Poisson's ratio of C49 TiSi2 as well. As for polar C54 TiSi2(100) and C49 TiSi2(010) surfaces, the Si termination surfaces are more stable. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：利用从头开始的基于广义梯度近似（GGA）的平面波超软伪电势方法，对C54和C49 TiSi2表面进行了理论比较。不仅可以计算出TiSi2的不同表面能，而且可以通过较小的表面能和C49 TiSi2的泊松比来解释固相反应中C49相的优先形成。对于极性C54 TiSi2（100）和C49 TiSi2（010）表面，Si端接表面更稳定。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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