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Formation of biaxial texture in metal films by selective ion beam etching

机译：通过选择性离子束刻蚀在金属膜中形成双轴织构

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The formation of in-plane texture via ion bombardment of uniaxially textured metal films was investigated. In particular, selective grain Ar ion beam etching of uniaxially textured (0 0 1) Ni was used to achieve in-plane aligned Ni grains. Unlike conventional ion beam assisted deposition, the ion beam irradiates the uniaxially textured film surface with no impinging deposition flux. The initial uniaxial texture is established via surface energy minimization with no ion irradiation. Within this sequential texturing method, in-plane grain alignment is driven by selective etching and grain overgrowth. Biaxial texture was achieved for ion beam irradiation at elevated temperature. (c) 2005 Elsevier B.V All rights reserved.
机译：研究了通过离子轰击单轴织构金属膜形成面内织构。特别地，使用单轴织构（0 0 1）Ni的选择性晶粒Ar离子束蚀刻来获得面内对准的Ni晶粒。与常规的离子束辅助沉积不同，离子束在不影响沉积通量的情况下照射单轴纹理化膜表面。最初的单轴织构是通过在没有离子辐射的情况下使表面能最小化而建立的。在这种顺序纹理化方法中，通过选择性蚀刻和晶粒过度生长来驱动面内晶粒对准。在高温下进行离子束辐照可获得双轴织构。 （c）2005 Elsevier B.V保留所有权利。

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