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A comparative study on Zn0.8Cd0.2O films deposited on different substrates

机译：Zn0.8Cd0.2O薄膜沉积在不同衬底上的比较研究

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Highly (002)-oriented Zn0.8Cd0.2O crystal films were prepared on different substrates, namely, glass, Si(111) and alpha-Al2O3(001) wafers by the dc reactive magnetron sputtering technique. The Zn0.8Cd0.2O/alpha-Al2O3 film has the best crystal quality with a FWHM of (002) peak of 0.3700 degrees, an average grain size of about 200 nm and a root-mean-square surface roughness of about 70 nm; yet the Zn0.8Cd0.2O/glass holds the worst crystal quality with a much larger FWHM of 0.6281 degrees. SIMS depth profile shows that the Zn and O compositions change little along the film depth direction; the Cd incorporation also almost holds the line towards the top surface other than an accumulation at the interface between the film and the substrate. The Cd content in the film is nearly consistent with that in target. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过直流反应磁控溅射技术在玻璃，Si（111）和α-Al2O3（001）晶片等不同基板上制备了高度（002）取向的Zn0.8Cd0.2O晶体膜。 Zn0.8Cd0.2O /α-Al2O3薄膜具有最佳晶体质量，（002）峰的FWHM为0.3700度，平均晶粒尺寸为约200 nm，均方根表面粗糙度为约70 nm；但是Zn0.8Cd0.2O /玻璃的晶体质量最差，FWHM更大，为0.6281度。 SIMS深度分布图表明，Zn和O的组成沿膜深方向变化很小。除了在膜和基底之间的界面处的累积之外，Cd的掺入还几乎使线保持朝向顶面。影片中的镉含量与目标中的镉含量几乎一致。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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