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Dry etching of MgCaO gate dielectric and passivation layers on GaN

机译：在GaN上干法蚀刻MgCaO栅极电介质和钝化层

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MgCaO films grown by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy and capped with Sc2O3 are promising candidates as surface passivation layers and gate dielectrics on GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) and metal-oxide semiconductor HEMTs (MOS-HEMTs), respectively. Two different plasma chemistries were examined for etching these thin films on GaN. Inductively coupled plasmas Of CH4/H-2/Ar produced etch rates only in the range 20-70 angstrom/min, comparable to the Ar sputter rates under the same conditions. Similarly slow MgCaO etch rates (similar to 100 angstrom/min) were obtained with Cl-2/Ar discharges under the same conditions, but GaN showed rates almost an order of magnitude higher. The MgCaO removal rates are limited by the low volatilities of the respective etch products. The CH4/H-2/Ar plasma chemistry produced a selectivity of around 2 for etching the MgCaO with respect to GaN. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过射频等离子体辅助分子束外延生长并盖上Sc2O3的MgCaO膜有望成为GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）和金属氧化物半导体HEMT（MOS-HEMT）上的表面钝化层和栅极电介质的候选材料。检查了两种不同的等离子体化学性质，以在GaN上蚀刻这些薄膜。 CH4 / H-2 / Ar的感应耦合等离子体产生的蚀刻速率仅在20-70埃/分钟的范围内，与相同条件下的Ar溅射速率相当。同样，在相同条件下用Cl-2 / Ar放电可以获得较慢的MgCaO蚀刻速率（约100埃/分钟），但是GaN的速率却高出近一个数量级。 MgCaO的去除率受到相应蚀刻产品挥发性低的限制。 CH4 / H-2 / Ar等离子体化学性质对GaN蚀刻MgCaO的选择性约为2。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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