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Microstructure of epitaxial scandium nitride films grown on silicon

机译：在硅上生长的外延氮化dium薄膜的微观结构

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Epitaxial scandium nitride films (225 nm thick) were grown on (I I I)-oriented silicon substrates by molecular beam epitaxy (MBE), using ammonia as a reactive nitrogen source. Film microstructure was investigated using X-ray diffraction (XRD). The (I 1 1) omega-scan FWHM of 0.551 degrees obtained for films grown at 850 degrees C is the lowest reported so far for ScN thin films. The principal orientation of ScN with respect to Si is (I I I)(ScN)//(1 11)(Si) and [1 (1) over bar0](ScN)//[0 (1) over bar1](Si), representing a 60 degrees in-plane rotation of the ScN layer with respect to the Si substrate. However, some twinning is also present in the films; the orientation of the twinned component is (I I I)(ScN)//(111)(Si) and [1 (1) over bar0](ScN)//[1 (1) over bar0](Si), representing a 'cube-on-cube' orientation. The volume percentage of these twins in the films decreases with increasing film growth temperature. (c) 2005 ElsevierB.V. All rights reserved.
机译：使用氨作为反应性氮源，通过分子束外延（MBE）在（II）取向的硅基板上生长外延氮化scan膜（225 nm厚）。使用X射线衍射（XRD）研究了薄膜的微观结构。对于在850摄氏度下生长的薄膜，获得的（I 1 1）Ω扫描FWHM为0.551度，是迄今为止报道的ScN薄膜中最低的。 ScN相对于Si的主要取向为（III）（ScN）//（1 11）（Si）和bar1上的[1（1）]（ScN）// bar1上的[0（1）]（Si）表示ScN层相对于Si衬底的平面内旋转60度。但是，电影中也存在一些孪生现象。孪生组分的取向为（III）（ScN）//（111）（Si）和[1（1）在bar0]（ScN）// [1（1）在bar0]（Si）上，表示'多维数据集的方向。薄膜中这些孪晶的体积百分比随着薄膜生长温度的升高而降低。 （c）2005年ElsevierB.V。版权所有。

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