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Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers

机译：C +离子注入和电化学刻蚀的Si层的光致发光

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The microstructural and optical analysis of Si layers emitting blue luminescence at about 431 nm is reported. These structures have been synthesized by C+ ion implantation and high-temperature annealing in hydrogen atmosphere and electrochemical etching sequentially. With the increasing etching time, the intensity of the blue peak increases at first, decreases then and is substituted by a new red peak at 716 nm at last, which shows characteristics of the emission of porous silicon. C=O compounds are induced during C+ implantation and nanometer silicon with embedded structure is formed during annealing, which contributes to the blue emission. The possible mechanism of photoluminescence is presented. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：报道了在约431nm处发射蓝色发光的Si层的显微结构和光学分析。这些结构是通过在氢气氛中进行C +离子注入和高温退火以及依次进行电化学蚀刻而合成的。随着刻蚀时间的增加，蓝峰的强度先增大，然后减小，最后被716 nm处的新红峰取代，这表明了多孔硅的发射特性。在C +注入过程中会诱发C = O化合物，并且在退火过程中会形成具有嵌入式结构的纳米硅，这有助于蓝光发射。提出了光致发光的可能机理。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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