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Effect of oxidation on the optical and surface properties of AlGaN

机译：氧化对AlGaN光学和表面性能的影响

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The chemical properties of AlxGa1-xN surfaces exposed to air for different time periods are investigated by atomic force microscopy (AFM), photoluminescence (PL) measurement and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). PL and AFM results show that AlxGa1-xN samples exhibit different surface characteristics for different air-exposure times and Al contents. The XPS spectra of the Al 2p and Ga 2p core levels indicate that the peaks shifted slightly, from an Al-N to an Al-O bond and from a Ga-N to a Ga-O bond. All of these results show that the epilayer surface contains a large amount of Ga and Al oxides. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：通过原子力显微镜（AFM），光致发光（PL）测量和X射线光电子能谱（XPS）研究了暴露于空气中不同时间段的AlxGa1-xN表面的化学性质。 PL和AFM结果表明，AlxGa1-xN样品在不同的空气暴露时间和Al含量下表现出不同的表面特性。 Al 2p和Ga 2p核心能级的XPS光谱表明，峰从Al-N到Al-O键以及从Ga-N到Ga-O键轻微移动。所有这些结果表明，外延层表面含有大量的Ga和Al氧化物。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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