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Band structure investigations of GaN films using modulation spectroscopy

机译：使用调制光谱研究GaN薄膜的能带结构

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The paper presents investigation results concerning band structure of gallium nitride and position of intrinsic and associate defect levels. Main optical characteristics (transmission, reflection and luminescence) were measured in both ordinary and lambda-modulation mode for epitaxy-grown GaN films, allowing to determine valence band splitting caused by spin-orbital interaction (48 meV) and crystalline field (10 meV). Analysis of photoluminescence spectra made it possible to identify main recombination mechanisms involving donor and acceptor levels formed by intrinsic point defects V-N(.), V-Ga', and their associates. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：本文介绍了有关氮化镓的能带结构以及本征和伴生缺陷能级的位置的研究结果。外延生长的GaN薄膜在常规和λ调制模式下均测量了主要光学特性（透射，反射和发光），从而可以确定由自旋轨道相互作用（48 meV）和晶体场（10 meV）引起的价带分裂。对光致发光光谱的分析使得有可能确定涉及由固有点缺陷V-N（。），V-Ga'及其同伴形成的供体和受体能级的主要重组机制。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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