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Characterization of Si nanocrystals into SiO2 matrix

机译：将Si纳米晶体表征为SiO2基体

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Silicon nanocrystals (nc-Si) have gained great interest due to their excellent optical and electronic properties and their applications in optoelectronics. The aim of this work is the study of growth mechanism of nc-Si into a-SiO2 matrix from SiO/SiO2 multilayer annealing, using non-destructive and destructive techniques. The multilayer were grown by e-beam evaporation from SiO and SiO2 materials and annealing at temperatures up to 1100 degrees C in N-2 atmosphere. X-rays reflectivity (XRR) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) were used for the structural characterization and spectroscopic ellipsometry in IR (FTIRSE) energy region for the study of the bonding structure. The ellipsometric results gave a clear evidence of the formation of an a-SiO2 matrix after the annealing process. The XRR data showed that the density is being increased in the range from 25 to 1100 degrees C. Finally, the HRTEM characterization proved the formation of nc-Si. Using the above results, we describe the growth mechanism of nc-Si into SiO2 matrix under N-2 atmosphere. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：硅纳米晶体（nc-Si）由于其出色的光学和电子特性及其在光电子学中的应用，引起了人们的极大兴趣。这项工作的目的是研究使用无损和破坏技术，从SiO / SiO2多层退火到nc-Si到a-SiO2基质的生长机理。通过从SiO和SiO2材料中进行电子束蒸发并在N-2气氛中在最高1100摄氏度的温度下进行退火来生长多层。 X射线反射率（XRR）和高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）用于红外（FTIRSE）能量区的结构表征和椭圆偏振光谱分析，以研究键合结构。椭圆光度法的结果给出了退火过程后形成a-SiO2基体的清晰证据。 XRR数据表明，密度在25到1100摄氏度的范围内增加。最后，HRTEM表征证明了nc-Si的形成。利用以上结果，我们描述了在N-2气氛下nc-Si在SiO2基体中的生长机理。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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