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首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Electron density profile at the interface of SiO2/Si(001)
【24h】

Electron density profile at the interface of SiO2/Si(001)

机译：SiO2 / Si（001）界面的电子密度分布

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In this report we present grazing incidence X-ray reflectivity (GIXR) study Of SiO2/Si(001) system. We have analysed the X-ray reflectivity data using recursive formalism based on matrix method and distorted wave Born approximation (DWBA). From the analysis of the reflectivity data we could obtain the electron density profile (EDP) at the interface of the dielectric SiO2 film and the Si(0 0 1) substrate. The EDP obtained from the matrix method follows the DWBA scheme only when two transition layers are considered at the interface Of SiO2/Si. The layer which is in proximity with the Si substrate has a higher electron density value than the Si and SiO2 values and it appears as a maximum in the EDP The layer which is in proximity with the dielectric SiO2 layer has an electron density value lower than the SiO2 value and it appears as a minimum in the EDP. When the thickness of the SiO2 layer is increased the lower density layer diminishes and the higher density layer persists. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在本报告中，我们介绍了SiO2 / Si（001）系统的掠入射X射线反射率（GIXR）研究。我们已经使用了基于矩阵方法和失真波博恩近似（DWBA）的递归形式主义来分析X射线反射率数据。通过对反射率数据的分析，我们可以得出介电SiO2膜和Si（0 0 1）衬底界面处的电子密度分布（EDP）。仅当在SiO2 / Si界面处考虑两个过渡层时，才可以通过矩阵方法获得的EDP遵循DWBA方案。靠近Si基板的层具有比Si和SiO2值更高的电子密度值，并且在EDP中显示为最大值。靠近电介质SiO2层的层的电子密度值低于SiO2层。 SiO2值，它在EDP中显示为最小值。当SiO 2层的厚度增加时，较低密度层减小并且较高密度层持续存在。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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