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Metal-CdZnTe contact and its annealing behaviors

机译：金属-CdZnTe接触及其退火行为

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The electrical properties of different metal-CdZnTe contacts by sputtering deposition method are investigated by current-voltage. The results show that Au is the most suitable electrical contact materials, which forms the nearly ideal Ohmic contact with high resistivity p-CdZnTe crystals. Ohmicity coefficient b is the closest to 1 after 10 min annealing at 333 K, which is analyzed by current-voltage characteristics. XPS analyses show that Au atoms diffuse into CdZnTe during annealing process and Cd and Te atoms diffuse into Au contact. Diffused Au atoms do not form any compound with any element in CdZnTe crystal. PL spectra results of Au deposition on CdZnTe crystals at 10 K show that the inter-diffused donors [Au](3+) recombine with acceptors [V-Cd](2-) during sputtering process. Meanwhile, the intensity of (D-complex) peak of with Au contact increases sharply in comparison with un-deposited CdZnTe crystal and donor [Au](3+) and [Au3+ center dot V-Cd(2-)](+) can compensate Cd vacancy [V-Cd](2-) wholly. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：利用电流-电压研究了溅射沉积法制备的不同金属-CdZnTe触点的电性能。结果表明，Au是最合适的电接触材料，与高电阻率的p-CdZnTe晶体形成了近乎理想的欧姆接触。欧姆系数b在333 K下退火10分钟后最接近1，通过电流-电压特性分析。 XPS分析表明，在退火过程中，金原子扩散到CdZnTe中，而Cd和Te原子扩散到Au接触中。扩散的Au原子不会与CdZnTe晶体中的任何元素形成任何化合物。在10 K下Au沉积在CdZnTe晶体上的PL光谱结果表明，在溅射过程中，相互扩散的施主[Au]（3+）与受体[V-Cd]（2-）结合。同时，与未沉积的CdZnTe晶体和施主[Au]（3+）和[Au3 +中心点V-Cd（2-）]（+）相比，Au接触的（D-复合物）峰的强度急剧增加。可以完全补偿镉的空缺[V-Cd]（2-）。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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