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Preparation of indium sulfide thin films by spray pyrolysis using a new precursor indium nitrate

机译：新型前驱体硝酸铟的喷雾热解制备硫化铟薄膜

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Indium nitrate and thiourea were used as the precursor solutions for preparing indium sulfide thin films using Chemical Spray Pyrolysis (CSP) technique. Films having various In/S ratios were characterized using X-Ray Diffraction (XRD), Energy Dispersive X-ray Analysis (EDX), Scanning Electron Microscopy (SEM), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), optical absorption, transmission and photosensitivity measurements. Sample having In/S ratio 2/3 showed better crystallinity with band gap 2.66 eV Depth profile of the sample also indicated the formation of indium sulfide. It was also observed that In/S ratio in the initial precursor solution determined the composition as well as electrical properties of the films. Maximum photosensitivity was observed for the sample prepared using solution having In/S ratio 2/4. (c) 2005 Elsevier B.V All rights reserved.
机译：硝酸铟和硫脲用作通过化学喷雾热解（CSP）技术制备硫化铟薄膜的前体溶液。使用X射线衍射（XRD），能量色散X射线分析（EDX），扫描电子显微镜（SEM），X射线光电子能谱（XPS），光吸收，透射和光敏性对具有各种In / S比的薄膜进行表征测量。 In / S比为2/3的样品显示出更好的结晶度，带隙为2.66 eV。样品的深度分布也表明形成了铟的硫化物。还观察到初始前体溶液中的In / S比决定了膜的组成和电性能。对于使用In / S比为2/4的溶液制备的样品，观察到最大的光敏性。 （c）2005 Elsevier B.V保留所有权利。

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