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On the growth mechanism of pulsed laser deposited carbon nitride films

机译：脉冲激光沉积氮化碳膜的生长机理

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Carbon nitride films have been deposited by ArF excimer laser ablation of a graphite target in the 10~(-2) to 100 Pa N_2 pressure range. Arrival rates of the constituting elements, mass densities and apparent growth rates have been derived from areal densities of both carbon and nitrogen atoms, determined by ion beam techniques, and film thicknesses, measured by a mechanical stylus. Below 5 Pa the film building blocks are atoms and molecules while above ～50 Pa the formation and interaction of clusters and particles determine the film growth. The results reveal that the formation, composition and microstructure of carbon nitride films fabricated in this process window is governed by gas-phase processes.
机译：通过在10〜（-2）到100 Pa N_2压力范围内用ArF准分子激光烧蚀石墨靶来沉积氮化碳膜。组成元素的到达速率，质量密度和表观生长速率已从碳和氮原子的面积密度（通过离子束技术确定）和膜厚度（通过机械笔测量）得出。低于5 Pa时，薄膜的构成要素是原子和分子，而高于约50 Pa时，簇和粒子的形成和相互作用决定了薄膜的生长。结果表明，在该工艺窗口中制造的氮化碳膜的形成，组成和微观结构受气相工艺控制。

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