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Interaction between oxygen and InAs(1 1 1) surfaces, influence of the electron accumulation layer

机译：氧与InAs（1 1 1）表面之间的相互作用，受电子累积层的影响

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The oxidation of InAs(1 1 1) surfaces has been studied by photoelectron spectroscopy. Both the InAs(1 1 1)A and the InAs(1 1 1)B surfaces are studied and it is found that the initial oxidation follows different paths for the two surfaces. At low oxygen exposures of the A face the Fermi level structure, which is due to the electron accumulation layer, increases in intensity. On the B-side the intensity of the lone pair surface state decreases with increasing oxygen exposure. For larger exposures significant changes can be observed in the line shape of the In 4d and the As 3d core levels.
机译：InAs（1 1 1）表面的氧化已通过光电子能谱进行了研究。研究了InAs（1 1 1）A和InAs（1 1 1）B表面，发现初始氧化遵循两个表面的不同路径。在A的氧气暴露量较低的情况下，归因于电子累积层的费米能级结构强度增加。在B侧，孤对表面态的强度随着氧气暴露的增加而降低。对于更大的曝光量，可以观察到In 4d和As 3d核心能级的线形发生显着变化。

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