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Carrier tunneling and thermal escape in asymmetric double quantum dots

机译：非对称双量子点中的载流子隧穿和热逸出

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We investigated the effects of ZnTe separation layer thickness on the optical properties of asymmetric CdTe/ZnTe double quantum dots (QDs) deposited by molecular beam epitaxy and atomic layer epitaxy on Si substrates. For asymmetric CdTe/ZnTe double QDs, the exitonic peaks of the large QDs (LQDs) were blue shifted with decreasing separation layer thickness because of intermixing caused by strain from the small QDs (SQDs). The relative peak intensity of the LQDs with respect to that of the SQDs increased with decreasing separation layer thickness due to carrier tunneling from the SQDs to the LQDs. We propose that the separation layer plays a key role in the thermal escape process, and can therefore be used to modulate carrier capture in optoelectronic devices.
机译：我们研究了ZnTe分离层厚度对分子束外延和原子层外延沉积在Si衬底上的不对称CdTe / ZnTe双量子点（QD）光学性能的影响。对于不对称的CdTe / ZnTe双QD，由于小QD（SQD）的应变引起的混合，大QD（LQDs）的出口峰随着分离层厚度的减小而蓝移。由于载流子从SQD到LQD的隧穿，LQD相对于SQD的相对峰强度随分离层厚度的减小而增加。我们建议隔离层在热逸出过程中起关键作用，因此可用于调制光电器件中的载流子捕获。

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