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MVP法による超高速成膜•表面加工技術と細穴内面プラズマ成膜への展開

机译：MVP法超高速成膜•表面处理技术及小孔内表面等离子成膜的发展

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摘要

In plasma-assisted surface manufacturings, processing speed can be increased by using high-desity plsamas. We have investigated MVP (Microwave-sheath Voltage combination Plasma) method, which employs surface wave propagation of microwaves, as an effective method to generate low-pressure and non-equilibrium high-density plasma surrounding metal substrates. In this review, we introduce examples of research and development based on the advantages of the MVP method.%ガスをプラズマ化して得られるラジカルやイオ ンの堆積作用により，薄膜を堆積することができる.また，ラジカルやイオンのエッチング作用を 利用して除去加工を行うことができる.そのよう なプラズマ中の活性種を利用する表面加工を総称 してプラズマ支援表面加工と呼ぶことにする.プ ラズマの濃さは電子の密度で代表され，電子の温 度や原料ガス密度が一定であれば，電子の密度が 高いほど生成•維持されるラジカルやイオンの量 が増える.したがって，電子が濃いプラズマ，す なわち高密度プラズマを用いたほうがプラズマ支 援表面加工の加工速度が上がる1).本稿では，高 密度な低圧•非平衡プラズマを生成する手法のーつであるMVP (Microwave-sheath Voltage combination Plasma)法にフォーカスし,プラズ マ支援表面加工の超高速化や細穴内面処理を狙っ た研究•開発事例を紹介する.
机译：在等离子辅助表面制造中，通过使用高等离子等离子体可以提高加工速度，我们研究了利用微波的表面波传播来产生低压的MVP（微波-鞘电压组合等离子体）方法。在本综述中，我们将介绍基于MVP方法的优势的研究和开发示例。也可以利用自由基和离子的蚀刻作用进行去除处理，这种在等离子体中使用活性物质的表面处理通常称为等离子体辅助表面处理。等离子体密度用电子密度表示，如果电子温度和原料气体密度恒定，则电子密度越高，产生并保持的自由基和离子越多。因此，等离子体增强等离子体，即高密度等离子体，可以提高等离子体辅助表面处理的处理速度1）。本文是一种产生高密度低压非平衡等离子体的方法。重点介绍微波鞘膜结合等离子体技术，介绍针对超高速等离子体辅助表面处理和小孔内表面处理的研究与开发实例。

著录项

  • 来源
    《自動車技術》 |2018年第6期|68-73|共6页
  • 作者

    上坂　裕之;

  • 作者单位

    岐阜大学工学部機械工学科（地域連携スマート金^技術研究センター兼務）(501-1193岐阜市柳戸1-1);

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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