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首页> 外文期刊>Canadian journal of electrical and computer engineering >Suspended on-chip RF MEMS components fabricated using PolyMUMPs technology
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Suspended on-chip RF MEMS components fabricated using PolyMUMPs technology

机译：使用PolyMUMPs技术制造的悬浮片上RF MEMS组件

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La technologie de micro-usinage de surface implémentée par le processus PolyMUMPs est utilisée pour fabriquer des composantes à systèmes micro-électro-mécaniques (MEMS) RF on chip. Les effets parasites provoqués par le couplage au substrat de silicium qui possède une faible résistance sont éliminés par l'introduction d'une technique de post-traitement de gravure humide personnalisée. La technique sans masque de post-traitement consiste en une gravure humide utilisant une fenêtre ouverte à travers la couche de nitrure qui couvre le substrat de silicium. L'hydroxyde d'ammonium tétraméthylique (TMAH) a été utilisé pour la gravure du substrat de silicium. La meilleure méthode de gravure qui rencontre les conditions du processus PolyMUMPs est déterminée. Une variété de composantes passives RF sont conçues, fabriquées et testées. La comparaison entre les résultats obtenus avant et après l'application du post-traitement proposé est présentée.%Surface micromachining technology implemented by the PolyMUMPs process is used to fabricate on-chip RF microelectromechanical systems (MEMS) components. Parasitic effects due to coupling to the low-resistivity silicon substrate are eliminated by the introduction of a customized wet etching post-processing technique. The maskless post-processing technique consists of a wet etching step using open windows through the nitride layer that covers the silicon substrate. The etchant used to etch the silicon substrate is tetramethylammonium hydroxide (TMAH). The best etching recipe that meets the PolyMUMPs requirements is determined. A variety of RF passive components are designed, fabricated, and tested. A comparison between the measurement results both before and after application of the proposed post-processing is presented.
机译：通过PolyMUMPs工艺实现的表面微加工技术被用于制造具有片上微机电系统（MEMS）RF的组件。通过引入个性化的湿法刻蚀后处理技术，可以消除由于耦合到具有低电阻的硅基板而引起的寄生效应。后处理无掩模技术包括使用穿过覆盖硅衬底的氮化物层的敞开窗口的湿法蚀刻。使用四甲基氢氧化铵（TMAH）蚀刻硅基板。确定满足PolyMUMPs工艺条件的最佳蚀刻方法。设计，制造和测试了多种无源RF组件。提出了在应用所提议的后处理之前和之后获得的结果之间的比较。由PolyMUMPs工艺实现的％表面微加工技术被用于制造芯片上RF微机电系统（MEMS）组件。通过引入定制的湿法蚀刻后处理技术，消除了由于耦合至低电阻率硅基板而产生的寄生效应。无掩模后处理技术包括湿法蚀刻步骤，该步骤使用穿过覆盖硅基板​​的氮化物层的开口窗口进行。用于蚀刻硅衬底的蚀刻剂是氢氧化四甲基铵（TMAH）。确定满足PolyMUMPs要求的最佳蚀刻配方。设计，制造和测试了各种RF无源组件。提出了在应用建议的后处理之前和之后的测量结果之间的比较。

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