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【24h】

Thermal radiation characteristics of plane-parallel SiC wafer

机译：平面平行SiC晶片的散热特性

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The spectral and directional absorptivity of plane-parallel SiC wafer is investigated in the IR region. The result demonstrates that interference takes place for thermal radiation emitted by plane-parallel SiC layers of the thickness from several tens to 100 microns. Owing to particular optical property of SiC, the spectral absorptivity of 10-mi-cron radiant wave is 0.98, close to 1, the absorptivity of black body. Nevertheless, the absorptivity approaches ft in the from 10.5 to 12.4 microns wavelength. Our calculation also shows that total hemispherical emissivity relates to wafer's temperature. It is between 300 and 500K where higher hemispherical emissivity exists.
机译：在红外区域研究了平面平行SiC晶片的光谱吸收率和方向吸收率。结果表明，干扰发生在厚度从几十到100微米的平面平行SiC层发出的热辐射上。由于SiC的特殊光学特性，10厘克朗辐射波的光谱吸收率为0.98，接近于1，即黑体的吸收率。然而，在10.5至12.4微米波长处，吸收率接近ft。我们的计算还表明，总的半球形发射率与晶片的温度有关。在300至500K之间，存在较高的半球发射率。

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