Fine Lines in High Yields (Part CXII): Alkaline Etching (Part B)

Karl Dietz

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Fine Lines in High Yields (Part CXII): Alkaline Etching (Part B)

机译：高产细线（CXII部分）：碱性蚀刻（B部分）

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The basic chemistry of ammoniacal etching was covered in Part A but is highlighted here again to facilitate the lead into the following discussion of process parameters. The basic chemical reaction for alkaline cupric chloride chemistry (see Figure 1) is the oxidation of copper metal by cupric ions to form cuprous ions. This equation is the same as for acid cupric chloride, in that cupric ion is the oxidant that attacks copper metal. However, it is different in that this occurs in an alkaline environment in which both cuprous and cupric ions are complexed by ammonia. Furthermore, unlike in acid chloride etching, cuprous chloride is re-oxidized to cupric by oxygen from the air.

机译：A部分介绍了氨蚀刻的基本化学原理，但在此再次强调该化学原理，以利于后续工艺参数的讨论。碱性氯化铜化学反应的基本化学反应（见图1）是铜离子将铜离子氧化形成亚铜离子。该方程式与酸性氯化铜相同，因为铜离子是侵蚀铜金属的氧化剂。然而，不同之处在于这发生在碱性环境中，其中铜和铜离子都被氨络合。此外，与酰氯蚀刻不同，氯化亚铜被空气中的氧气重新氧化为铜。

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来源
《Circuitree》 |2005年第2期|p.767880|共3页
作者
Karl Dietz;
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作者单位

DuPont's Electronic Materials Laboratory, Research Triangle Park, N.C.;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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