...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Designs, Codes and Crytography >Geometric WOM codes and coding strategies for multilevel flash memories
【24h】

Geometric WOM codes and coding strategies for multilevel flash memories

机译：多级闪存的几何WOM代码和编码策略

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This paper investigates the design and application of write-once memory (WOM) codes for flash memory storage. Using ideas from Merkx (1984) we present a construction of WOM codes based on finite Euclidean geometries over F2. This construction yields WOM codes with new parameters and provides insight into the criterion that incidence structures should satisfy to give rise to good codes. We also analyze methods of adapting binary WOM codes for use on multilevel flash cells. In particular, we give two strategies based on different rewrite objectives. A brief discussion of the average-write performance of these strategies, as well as concatenation methods for WOM codes is also provided.
机译：本文研究了用于闪存存储的一次写入存储器（WOM）代码的设计和应用。利用Merkx（1984）的思想，我们提出了基于F2上有限的欧几里得几何的WOM代码构造。这种构造产生具有新参数的WOM代码，并提供对入射结构应满足以产生良好代码的准则的深入了解。我们还分析了在多级闪存上使用二进制WOM代码的方法。特别是，我们根据不同的重写目标给出了两种策略。还简要讨论了这些策略的平均写入性能以及WOM代码的级联方法。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号