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首页> 外文期刊>Advances in condensed matter physics >(112) Surface of CuInSe2Thin Films with Doped Cd Atoms
【24h】

(112) Surface of CuInSe2Thin Films with Doped Cd Atoms

机译：（112）掺杂Cd原子的CuInSe2Th薄膜的表面

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The doping behavior of Cd atoms in the CuInSe2thin films and their influences on electronic structures are investigated. The doped Cd atoms replace Cu atoms and prefer to stay at the (112) surface of the thin films. They combine with Cu vacancies to form defect pairs due to low formation energy. The Cd atom does not by itself modify significantly the electronic structure of the surface, but the defect pairs have important influences. They result in a down shift of valence band maximum and form a hole barrier at the surface, which can prevent holes from reaching the surface and reduce the recombination of carriers.
机译：研究了CuInSe2th薄膜中Cd原子的掺杂行为及其对电子结构的影响。掺杂的Cd原子替代了Cu原子，并且更喜欢停留在薄膜的（112）表面。由于形成能量低，它们与铜空位结合形成缺陷对。 Cd原子本身不会显着改变表面的电子结构，但缺陷对具有重要影响。它们导致价带最大值下降，并在表面形成空穴阻挡，这可以防止空穴到达表面并减少载流子的重组。

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