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首页> 外文期刊>International Journal of Modern Physics and Application >The Effect of Pressure and Band Gap Theoretical Study in N-doped TiO2 Nanoparticles
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The Effect of Pressure and Band Gap Theoretical Study in N-doped TiO2 Nanoparticles

机译：N掺杂TiO2纳米粒子中压力和带隙理论研究的影响

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As part of our efforts to find a way to control the concentration of N-doped TiO2, TiNxOy powers are prepared by a device of our own design. Nanomaterials are generated using N-doped TiO2 material with their concentrations by adjusting the amount of NH3 under middle pressure. N-doped TiO2 particles are characterized under the reaction conditions at different middle pressure. Experimental results indicate that the band gap of semiconductor has been narrowed by increasing of the concentration of N-doped TiO2. It can therefore be concluded that the synthesis route we found through this study is an effective way to adjust the relationships between the concentration and the band gap of the N-doped TiO2 nanomaterials.
机译：作为我们寻找控制N掺杂TiO2浓度的方法的努力的一部分，TiNxOy电源由我们自己设计的设备制成。纳米材料是使用N掺杂的TiO2材料及其浓度通过在中压下调节NH3的量来产生的。在不同的中压条件下，对N掺杂的TiO2颗粒进行了表征。实验结果表明，随着N掺杂TiO2浓度的增加，半导体的带隙变窄。因此可以得出结论，我们通过这项研究发现的合成途径是调节N掺杂TiO2纳米材料的浓度与带隙之间关系的有效方法。

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